Политехнический терминологический толковый словарь. Составление: В. Бутаков, И. Фаградянц. 2014.
критическая концентрация дырок проводимости полупроводника — критическая концентрация дырок Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы критическая концентрация дырок … Справочник технического переводчика
Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника — 30. Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника Критическая концентрация дырок Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
критическая концентрация дыроа — критическая концентрация дырок проводимости; критическая концентрация дыроа Концентрация дырок проводимости, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны … Политехнический терминологический толковый словарь
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Электронно-дырочная жидкость — Электронно дырочная жидкость неравновесная фаза электронных возбуждений, существующая в некоторых полупроводниках при низких температурах, если концентрация носителей заряда (электронов проводимости и дырок) превышает некоторую критическую… … Википедия
Газы — I Газы (французское gaz; название предложено голланским учёным Я. Б. Гельмонтом агрегатное состояние вещества, в котором его частицы не связаны или весьма слабо связаны силами взаимодействия и движутся свободно, заполняя весь… … Большая советская энциклопедия
Леговец, Курт — Курт Леговец Kurt Lehovec Дата рождения: 12 июня 1918(1918 06 12) Место рождения: Ледвице … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… … Википедия
